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SCH_MOD_PTN1118原理图

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SCH_MOD_PTN1118原理图

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1. 电源电感推荐型号(VDD12和VDD18的4.7uH电感饱和电流>300mA):

1. 0805封装:【Sunlord 顺络: 叠层片式 MPH201210S4R7MT】
2. 0603封装:【Sunlord 顺络: 绕线铁氧体 MWSD1608FE4R7KT】

2. 时钟晶体推荐型号(晶体推荐7到8pF负载电容,10ppm精度):

1. 2016封装, 7.5pF->【 JWT 晶威特/CN4026M000755C840000】/【Murata村田/XRCGB26M000F1S2AR0】
2. 3225封装, 7.3pF->【JWT 晶威特/CF4026M000739FA40000】/【HOSONIC 鸿星/E3SB26E009600E】

3. Layout注意:

1. 电源:两个电感做 90°摆放,SWA/SWD的走线距离短;每个滤波电容接地端就近打过孔到地。
2. 时钟:晶体接地良好,时钟线下方不能有其它走线。
3. IC底部大焊盘接地,4x5封装建议12(3x4)个过孔,7x7封装建议25(5x5)个过孔,过孔尺寸0.3/0.5mm。

4. 如果不考虑输出24.576M的MCLK时钟,建议删除GPIO15处上拉电阻,利于布线。

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