MOSFET

加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。收起

查看更多

电路方案

查看更多

设计资料

查看更多
  • Npass gate transistor是什么器件?
    本文介绍了N-channel pass-gate transistor这一器件及其工作原理。该器件类似于NMOS管,但在衬底和源极之间没有连接,导致其具有独特的电平转换特性。通过对比NMOS管和N-passgate器件的结构差异,解释了其工作机制,并展示了如何利用该器件进行电平转换。最后,作者强调了深入了解基础器件的重要性,以便更好地应对技术挑战。
    437
    09/25 14:30
    Npass gate transistor是什么器件?
  • 东芝推出采用最新一代工艺技术的100V N沟道功率MOSFET,助力提高工业设备开关电源效率
    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用,适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。 100V U-MOS11-H系列优化了器件结构,进一步改善了U-MOSX-H系列的漏源导通电阻(RDS(ON))、总栅极电荷(Qg)以及
    东芝推出采用最新一代工艺技术的100V N沟道功率MOSFET,助力提高工业设备开关电源效率
  • 村田中国亮相 CIIF 2025 —— 以创新元器件赋能新型工业绿色智能化发展
    全球居先的综合电子元器件制造商村田中国(以下简称“村田”)亮相在上海举办的中国国际工业博览会(CIIF 2025),展位号为【Hall6.1-A248】。村田携MLCC、电感、静噪滤波器、传感器、定位模块以及多款电池及电源模块产品参展,全力支持工业与新兴领域的智能化与绿色转型需求。 近年来,中国在推动工业自动化与绿色制造、低碳转型方面加大政策力度。2025年,中国国务院常务会议审议通过了《制造业绿
  • 英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC 650 V G2系列MOSFET
    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布扩展其 CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET产品组合,新增 75 mΩ 规格型号,以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择,包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此,该产品
    英飞凌推出75 mΩ工业级CoolSiC 650 V G2系列MOSFET
  • 泰克助力芯朋微电子,打造电源管理芯片测试协作新典范
    在中国科技产业加速迭代的浪潮中,本土化创新已成为驱动产业升级的核心动力。作为全球测试测量领域的领军者,深耕中国市场四十余年的泰克,如今更以“精益智造 测试为先” 理念为指引,构建起从研发设计、应用支持到客户服务的本土化体系。这一理念融入到每一次技术协作、每一套测试方案的实践准则,旨在以精准、高效的测试能力,为本土企业的创新 “保驾护航”。 “精益智造 测试为先”本土化战略 随着全球迈入电气化和数字