《元器件动态周报》——存储市场步入“价涨、缺货、换代”三重奏

核心观点

AI与高性能计算驱动存储升级，HBM、UFS、SSD等高端产品需求激增，但部分传统存储（如DDR4）仍受供应限制。??

供应链结构性调整导致部分产品（如LPDDR4X、eMMC）供应紧张，厂商扩产但短期交付压力仍存，行业客户面临成本与交期博弈。??

DRAM和NAND价格分化，高端产品（HBM、DDR5）持续上涨，而低端DDR4因供需错配先涨后跌，存储厂商通过调价转嫁成本压力。?

三大维度解读存储器件最新供需动态

市场需求分析

8月，四方维商品动态商情存储需求指数环比上升6.51%，同比下降-19.86%。

三星电子表示HBM3E供给增速超需求，Q2 HBM销量环比增30%，HBM3E占比超80%，预计下半年达90%。并重启Z-NAND，目标性能达现有NAND的15倍、功耗降八成。

旺宏指出缺货点在eMMC模组而非MLC NAND，下半年推整合型eMMC，先攻消费与工控再扩至车用。

铠侠开始送样车规UFS 4.1，用第八代BiCS与自研主控，容量12w8 GB-1 TB，锁定车载娱乐、ADAS等场景。铠侠Q1 SSD营收2174亿日元，数据中心需求强劲但售价下降，PC业务环比增长。预计2025年NAND bit增长≤10%。

DDR4供应仍紧，平台限制下部分产品难直接升DDR5，需求迁移节奏受限。

NEO Semi发布全球首款AI用X-HBM，带宽×16、密度×10，突破传统HBM极限。

闪迪与SK海力士合作制定HBF规范，并推出256 TB UltraQLC SSD，用自研主控、固件和2 Tb BiCS8 QLC。

SK海力士估2030年定制HBM市场达数百亿美元。

群联7月营收同期新高，NAND bit出货同比增41%。

AMD下代MI450 AI加速卡将上HBM4，单卡432 GB，带宽再升五成。

英伟达Rubin架构亦采用HBM4，配第六代NVLink，带宽3.6 TB/s。

交货周期分析

三星预计Q3 DRAM出货量环比高个位数增长。三星1c DRAM完成开发并通过PRA，年底将用于HBM4。

SSD 供应充足，行业客户去库存，备货意愿低。

开学季PC厂询单增多，但买方砍价、卖方挺价，基板延迟拉长SSD 交付周期。

华邦称渠道Flash库存低，8月起供应改善；45 nm新品已占Flash营收6%。并通过40-50亿元扩产案，NOR与SLC NAND年产能增逾两成，SLC NAND受eMMC产能排挤尤紧。

存储原厂产能策略调整引发供应链波动，手机市场承压。

消费DDR4趋理性，LPDDR4X交付仍紧，价格温和上涨。

部分原厂Q2停供DDR4后，行业条价多次调涨，现仅保长期客户，高规DDR4仍稀缺，部分客户被迫降规。

LPDDR4X成品短期供应难改善，厂商小单成交，价格续扬。

主流客户获8 GB eMMC成品释货，低容量嵌入式短缺略缓。

厂商回补低容量MLC库存，成本高企，个别低容量eMMC再涨价。

价格波动分析

三星看下半年传统DRAM涨价，HBM3E与传统DRAM利差将缩小。需求回暖，三星预计DRAM与NAND下半年同步续涨。

供应紧张的传统DRAM、NAND涨幅相对更大。

渠道DDR4内存条显露疲态，低容量型号价格松动。主流DDR4颗粒紧缺，厂商继续调涨行业条价。

行业正处DDR4向DDR5过渡期，DDR4条价格仍大幅上扬。

128 Gb及以下NAND Wafer自去年底现货价已翻两倍多。

嵌入式成品跟涨，上半年16 GB及以下eMMC价格累涨逾五成。

Q3服务器DDR4成交降温，DDR5因制程切换价格持续走高。

渠道DDR4短暂回调后企稳，DDR5基板交期延长但价稳。

封测厂南茂本季起将存储封测报价上调5%-18%，转嫁成本并改善获利。

本期《元器件动态周报》部分内容和数据源引自Supplyframe四方维商品动态商情（Commodity IQ）产品，该SaaS产品为提供200多个细分品类的元器件供需商情和趋势预测数据的分析工具，实时在线，持续更新，期待您的关注。如果您对Commodity IQ产品感兴趣，欢迎扫描下方二维码，或登录四方维官网了解详情https://cn.supplyframe.com/。